KDB-3双组合四探针电阻率测试仪半导体方块电阻分析仪

KDB-3双组合四探针方阻/电阻率测试仪

1、概述

KDB-3型双组合四探针方阻/电阻率测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延、离子注入、化学气相、或其他淀积工艺在硅衬底上形成的薄膜方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。

双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。在本测试方法中，在测试样品的每个测量位置上，以两种不同的方式（配置）将探针连接到提供电流和测量电压的电路中。四探针的这种使用法通常被称为“双配置”或“配置切换”测量。单组合四探针相比，用较小间距的探针头**可以进行高精度的测量，从而可获得更高的晶片薄层电阻变化的空间分辨率。

本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护箔膜。仪器配置了本公司的产品：“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机可加配KDY测量系统，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算出硅片电阻率、径向电阻率的**大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。

2、主机技术能数

（1）测量范围：

        可测电阻率：0.0001～19999Ω·cm

        可测方块电阻：0.001～199999Ω/□

（2）恒流源：

        输出电流：DC  0.001～100mA   五档连续可调

        量程：0.001～0.01mA    0.01～0.10mA       0.10～1.0mA       1.0～10mA     10～100mA

        恒流精度：各档均低于±0.05%

（3）直流数字电压表：

         测量范围：0～199.99mV

         灵敏度：10μV

         基本误差：±（0.004%读数+0.01%满度）

         输入阻抗：≥1000MΩ

（4）测量精度：电器精度：1－1000欧姆≤0.3%

         整机测量精度：1－1000欧姆·厘米≤3%

（5）供电电源：

         AC  220V±10%    50/60  Hz    功率：12W

（6）使用环境：温度：23±2℃   相对湿度：≤65%

         无较强的电场干扰，电源隔离滤波，无强光直接照射

（7）重量、体积：

         主机重量：6.5kg

         体积：420（含前把手）×360×150（含底脚）（单位：mm  长度×宽度×高度）

                 该仪器可选配KDY四探针测试系统连接计算机软件进行测量，测试结果更加准确、简便，测量数据自动保存，可进行导出excel等操作，便于保存数据。

KDY四探针测试软件系统测量界面